Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
IXFN70N120SK
SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B
НОВА часть #:
312-2291930-IXFN70N120SK
Производитель:
Номер детали производителя:
IXFN70N120SK
Стандартный пакет:
10
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 1200 V 68A (Tc) - Chassis Mount SOT-227B
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Chassis Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-227B | |
| Базовый номер продукта | IXFN70 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 68A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 50A, 20V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 15mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 161 nC @ 20 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-227-4, miniBLOC | |
| VGS (макс.) | +20V, -5V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2790 pF @ 1000 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | - |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXFN50N120SICIXYS
G3R20MT12NGeneSiC Semiconductor- IXFN50N120SKIXYS
- IXFN90N170SKIXYS
