SI7172ADP-T1-RE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8

НОВА часть #:

312-2275071-SI7172ADP-T1-RE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI7172ADP-T1-RE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

N-Channel 200 V 5.3A (Ta), 17.2A (Tc) - Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 125°C
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта	SI7172
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	5.3A (Ta), 17.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	19.5 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® SO-8
VGS (макс.)	-
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1110 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	-
Другие имена	SI7172ADP-T1-RE3DKR SI7172ADP-RE3 SI7172ADP-T1-RE3CT SI7172ADP-T1-RE3TR