Альтиум Орел Оркад ПОДУШКИ Кикад 
UF3C120080B7S
SICFET P-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
НОВА часть #:
312-2278634-UF3C120080B7S
Производитель:
Номер детали производителя:
UF3C120080B7S
Стандартный пакет:
800
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 1200 V 28.8A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | UnitedSiC | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK-7 | |
| Базовый номер продукта | UF3C120080 | |
| Технологии | SiCFET (Cascode SiCJFET) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 28.8A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 20A, 12V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 6V @ 10mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 23 nC @ 12 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 754 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 190W (Tc) | |
| Другие имена | 2312-UF3C120080B7STR 2312-UF3C120080B7SCT 2312-UF3C120080B7SDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SCT3105KW7TLRohm Semiconductor- SCT3080KW7TLRohm Semiconductor
UF3SC120040B7SUnitedSiC
C3M0032120J1Wolfspeed, Inc.- UF3C065080B7SUnitedSiC
MSC080SMA120SMicrochip Technology
UF3C120080K4SUnitedSiC- UF3C120150B7SUnitedSiC
- C3M0160120JWolfspeed, Inc.
C3M0075120JWolfspeed, Inc.
G3R75MT12JGeneSiC Semiconductor
