Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
IMZ120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
НОВА часть #:
312-2264915-IMZ120R350M1HXKSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IMZ120R350M1HXKSA1
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 60W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO247-4-1 | |
| Базовый номер продукта | IMZ120 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | CoolSiC™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4.7A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 15V, 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 2A, 18V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5.7V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5.3 nC @ 18 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-4 | |
| VGS (макс.) | +23V, -7V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 182 pF @ 800 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 60W (Tc) | |
| Другие имена | SP001808378 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IMW120R350M1HXKSA1Infineon Technologies
C3M0120065KWolfspeed, Inc.
IMZ120R220M1HXKSA1Infineon Technologies
IMZ120R140M1HXKSA1Infineon Technologies
