SPD04P10PLGBTMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3

НОВА часть #:

312-2290328-SPD04P10PLGBTMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

SPD04P10PLGBTMA1

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 100 V 4.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3
Базовый номер продукта	SPD04P10
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	SIPMOS®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	4.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 380µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	372 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	38W (Tc)
Другие имена	SPD04P10PL G-ND SPD04P10PL GTR SPD04P10PL GDKR-ND SPD04P10PL GCT SPD04P10PL G SPD04P10PLGBTMA1TR SPD04P10PL GDKR SP000212231 SPD04P10PL GTR-ND SPD04P10PLGBTMA1DKR SPD04P10PL GCT-ND SPD04P10PLGBTMA1CT

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!