Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
C3M0015065D
SICFET N-CH 650V 120A TO247-3
НОВА часть #:
312-2265050-C3M0015065D
Производитель:
Номер детали производителя:
C3M0015065D
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 650 V 120A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-247-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Wolfspeed, Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-3 | |
| Базовый номер продукта | C3M0015065 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | C3M™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 120A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 55.8A, 15V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.6V @ 15.5mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 188 nC @ 15 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | +15V, -4V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5011 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 416W (Tc) | |
| Другие имена | 1697-C3M0015065D -3312-C3M0015065D |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
C3M0120065KWolfspeed, Inc.
C3M0120065DWolfspeed, Inc.
NTH4L015N065SC1onsemi
C3M0120065JWolfspeed, Inc.
SCTW90N65G2VSTMicroelectronics
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon Technologies
