NVH4L080N120SC1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4

НОВА часть #:

312-2299462-NVH4L080N120SC1

Производитель:

Номер детали производителя:

NVH4L080N120SC1

Стандартный пакет:

450

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 1200 V 29A (Tc) 170mW (Tc) Through Hole TO-247-4L

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247-4L
Базовый номер продукта	NVH4L080
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	29A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4.3V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	56 nC @ 20 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-247-4
VGS (макс.)	+25V, -15V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	1200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1670 pF @ 800 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	170mW (Tc)
Другие имена	488-NVH4L080N120SC1