IRLD024PBF

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP

НОВА часть #:

312-2283047-IRLD024PBF

Производитель:

Номер детали производителя:

IRLD024PBF

Стандартный пакет:

100

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 60 V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	4-HVMDIP
Базовый номер продукта	IRLD024
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	2.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	18 nC @ 5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	4-DIP (0.300", 7.62mm)
VGS (макс.)	±10V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	870 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.3W (Ta)
Другие имена	*IRLD024PBF