Альтиум Орел Оркад ПОДУШКИ Кикад 
SI4386DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
НОВА часть #:
312-2277999-SI4386DY-T1-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI4386DY-T1-E3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 30 V 11A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
| Базовый номер продукта | SI4386 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 11A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 16A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.47W (Ta) | |
| Другие имена | SI4386DY-T1-E3DKR SI4386DY-T1-E3TR SI4386DYT1E3 SI4386DY-T1-E3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
RN1101MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and Storage
SI4874BDY-T1-E3Vishay Siliconix
RNE1C101MDS1PXNichicon
FDMS86101onsemi
