Альтиум Орел Оркад ПОДУШКИ Кикад 
SI1480DH-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
НОВА часть #:
312-2284525-SI1480DH-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI1480DH-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 100 V 2.6A (Tc) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SC-70-6 | |
| Базовый номер продукта | SI1480 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.6A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.9A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 130 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) | |
| Другие имена | SI1480DHT1GE3 SI1480DH-T1-GE3DKR SI1480DH-T1-GE3CT SI1480DH-T1-GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI1480DH-T1-BE3Vishay Siliconix
BAV23C-7-FDiodes Incorporated
LE9643AQCMicrochip Technology
