SQM120P04-04L

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

SQM120P04-04L_GE3

MOSFET P-CH 40V 120A TO263

НОВА часть #:

312-2283071-SQM120P04-04L_GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SQM120P04-04L_GE3

Стандартный пакет:

800

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 40 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-263 (D²Pak)
Базовый номер продукта	SQM120
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	120A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	330 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	40 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	13980 pF @ 20 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	375W (Tc)
Другие имена	SQM120P04-04L-GE3 SQM120P04-04L_GE3DKR SQM120P04-04L-GE3-ND SQM120P04-04L_GE3TR SQM120P04-04L_GE3CT SQM120P04-04L_GE3-ND