Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
P-Channel 50 V 200mA (Ta) 425mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
Производитель | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Тип крепления | Surface Mount | |
Пакет устройств поставщика | X1-DFN1006-3 | |
Базовый номер продукта | DMP56 | |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
Ряд | - | |
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 200mA (Ta) | |
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 4V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 100mA, 4V | |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.2V @ 250µA | |
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.58 nC @ 4 V | |
Полевой транзистор | - | |
Пакет/кейс | 3-UFDFN | |
VGS (макс.) | ±8V | |
Тип полевого транзистора | P-Channel | |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 50 V | |
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 50.54 pF @ 25 V | |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 425mW (Ta) | |
Другие имена | DMP56D0UFB-7BDITR DMP56D0UFB-7BDICT DMP56D0UFB-7BDIDKR |
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.