SI3410DV-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP

НОВА часть #:

312-2282024-SI3410DV-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI3410DV-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

N-Channel 30 V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.1W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	6-TSOP
Базовый номер продукта	SI3410
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	8A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1295 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2W (Ta), 4.1W (Tc)
Другие имена	SI3410DV-T1-GE3CT SI3410DV-T1-GE3TR SI3410DV-T1-GE3DKR SI3410DVT1GE3