SIRA90DP-T1-RE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

НОВА часть #:

312-2272873-SIRA90DP-T1-RE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SIRA90DP-T1-RE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 30 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта	SIRA90
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	100A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	153 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® SO-8
VGS (макс.)	+20V, -16V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	10180 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	104W (Tc)
Другие имена	SIRA90DP-T1-RE3DKR SIRA90DP-T1-RE3TR SIRA90DP-T1-RE3-ND SIRA90DP-T1-RE3CT