STH315N10F7-2

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

НОВА часть #:

312-2291125-STH315N10F7-2

Производитель:

Номер детали производителя:

STH315N10F7-2

Стандартный пакет:

1,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2Pak-2

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	STMicroelectronics
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	H2Pak-2
Базовый номер продукта	STH315
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	180A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	180 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	12800 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	315W (Tc)
Другие имена	497-14718 497-14718-1 497-14718-2 497-14718-6