BSC026N04LSATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON

НОВА часть #:

312-2282413-BSC026N04LSATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

BSC026N04LSATMA1

Стандартный пакет:

5,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 40 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8-6
Базовый номер продукта	BSC026
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	23A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	40 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2300 pF @ 20 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 63W (Tc)
Другие имена	BSC026N04LSATMA1-ND SP001067014 BSC026N04LSATMA1DKR BSC026N04LSATMA1TR BSC026N04LSATMA1CT