Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
DMN1150UFB-7B
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
НОВА часть #:
312-2284282-DMN1150UFB-7B
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN1150UFB-7B
Стандартный пакет:
10,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 12 V 1.41A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | X1-DFN1006-3 | |
| Базовый номер продукта | DMN1150 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.41A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 1.5 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 3-UFDFN | |
| VGS (макс.) | ±6V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 12 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 106 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 500mW (Ta) | |
| Другие имена | DMN1150UFB-7BDICT DMN1150UFB-7BDITR DMN1150UFB-7BDIDKR |
In stock Нужно больше?
0,07850 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMN62D1LFB-7BDiodes Incorporated
EVP-AEBB2APanasonic Electronic Components- DMN65D8LFB-7Diodes Incorporated
BQ25101YFPRTexas Instruments
NCV8170BMX330TCGonsemi
2SC4097T106RRohm Semiconductor- DMN2600UFB-7Diodes Incorporated
- NCP170AMX330TCGonsemi
NRF52832-CIAA-RNordic Semiconductor ASA
S-8211CDF-I6T1UABLIC U.S.A. Inc.
ABM11AIG-25.000MHZ-4Z-T3Abracon LLC
