Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
FDMS10C4D2N
MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
НОВА часть #:
312-2279563-FDMS10C4D2N
Производитель:
Номер детали производителя:
FDMS10C4D2N
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 100 V 17A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (5x6) | |
| Базовый номер продукта | FDMS10 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 17A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 44A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 65 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4500 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 125W (Tc) | |
| Другие имена | FDMS10C4D2NOSDKR FDMS10C4D2NOSCT FDMS10C4D2NOSTR FDMS10C4D2N-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDMS86150onsemi
FDMS039N08Bonsemi
CSD19532Q5BTexas Instruments
CSD19502Q5BTexas Instruments- CSD19532Q5BTTexas Instruments
- FDMS86350onsemi
- FDMS86150ET100onsemi
- FDMS86105onsemi
