Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
IRF640NPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
НОВА часть #:
312-2281825-IRF640NPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRF640NPBF
Стандартный пакет:
100
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220AB | |
| Базовый номер продукта | IRF640 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 18A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 11A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 67 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1160 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 150W (Tc) | |
| Другие имена | SP001570078 *IRF640NPBF |
In stock Нужно больше?
0,38350 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
LT1016CN8#PBFAnalog Devices Inc.
IRF9540NPBFInfineon Technologies- IRF3205PBFInfineon Technologies
2211-12-301Coto Technology
PHP20NQ20T,127NXP Semiconductors
IRF9640PBFVishay Siliconix- LT1457CN8#PBFAnalog Devices Inc.
LM337LZ/NOPBTexas Instruments
FQP19N20Consemi- IRF640PBFVishay Siliconix
- LT1012CN8#PBFAnalog Devices Inc.
- IRF5305PBFInfineon Technologies
- IRF200B211Infineon Technologies
