Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
SIHA5N80AE-GE3
E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
НОВА часть #:
312-2271421-SIHA5N80AE-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIHA5N80AE-GE3
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 800 V 3A (Tc) 29W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220 Full Pack | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | E | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 1.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 Full Pack | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 800 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 321 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 29W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SIHA5N80AE-GE3 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPA80R1K2P7XKSA1Infineon Technologies
SIZ260DT-T1-GE3Vishay Siliconix
STF7LN80K5STMicroelectronics
