RQ3E100ATTB

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT

НОВА часть #:

312-2287789-RQ3E100ATTB

Производитель:

Номер детали производителя:

RQ3E100ATTB

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 30 V 10A (Ta), 31A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-HSMT (3.2x3)
Базовый номер продукта	RQ3E100
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	10A (Ta), 31A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerVDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1900 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2W (Ta)
Другие имена	RQ3E100ATTBDKR RQ3E100ATTBCT RQ3E100ATTBTR