IPP600N25N3GXKSA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3

НОВА часть #:

312-2263355-IPP600N25N3GXKSA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPP600N25N3GXKSA1

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 250 V 25A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PG-TO220-3-1
Базовый номер продукта	IPP600
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	25A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-220-3
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	250 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2350 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	136W (Tc)
Другие имена	IPP600N25N3G IPP600N25N3 G IPP600N25N3 G-ND SP000677832