Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
TPN1600ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
НОВА часть #:
312-2290262-TPN1600ANH,L1Q
Производитель:
Номер детали производителя:
TPN1600ANH,L1Q
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 100 V 17A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | |
| Базовый номер продукта | TPN1600 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSVIII-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 17A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 8.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 200µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1600 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 700mW (Ta), 42W (Tc) | |
| Другие имена | TPN1600ANHL1QCT TPN1600ANH,L1Q(M TPN1600ANHL1QDKR TPN1600ANHL1QTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SBR3U100LP-7Diodes Incorporated
BSZ900N20NS3GATMA1Infineon Technologies
FDMC86160onsemi
