Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
STP33N60M2
MOSFET N-CH 600V 26A TO220
НОВА часть #:
312-2292458-STP33N60M2
Производитель:
Номер детали производителя:
STP33N60M2
Стандартный пакет:
50
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 600 V 26A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220 | |
| Базовый номер продукта | STP33 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | MDmesh™ II Plus | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 26A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 13A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 45.5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1781 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 190W (Tc) | |
| Другие имена | 497-14221-5 -497-14221-5 STP33N60M2-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STP34NM60NSTMicroelectronics
STD13N60DM2STMicroelectronics
AOT42S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.
STPSC12H065DYSTMicroelectronics
C3D08060AWolfspeed, Inc.
IRS20957STRPBFInfineon Technologies
IPP60R125CPXKSA1Infineon Technologies
IRFBC30APBFVishay Siliconix
