IRFH8318TRPBF

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN

НОВА часть #:

312-2263382-IRFH8318TRPBF

Производитель:

Номер детали производителя:

IRFH8318TRPBF

Стандартный пакет:

4,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 30 V 27A (Ta), 120A (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PQFN (5x6)
Базовый номер продукта	IRFH8318
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	27A (Ta), 120A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.35V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	3180 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.6W (Ta), 59W (Tc)
Другие имена	IRFH8318TRPBFCT IRFH8318TRPBFDKR SP001572710 IRFH8318TRPBFTR