SIRA24DP-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

НОВА часть #:

312-2285459-SIRA24DP-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SIRA24DP-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 25 V 60A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта	SIRA24
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET® Gen IV
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	60A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	26 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® SO-8
VGS (макс.)	+20V, -16V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	25 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2650 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	62.5W (Tc)
Другие имена	SIRA24DP-T1-GE3CT SIRA24DP-T1-GE3DKR SIRA24DP-T1-GE3TR