SUP80090E-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB

НОВА часть #:

312-2289694-SUP80090E-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SUP80090E-GE3

Стандартный пакет:

500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 150 V 128A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220AB
Базовый номер продукта	SUP80090
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	ThunderFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	128A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	95 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-220-3
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	150 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	3425 pF @ 75 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	375W (Tc)
Другие имена	SUP80090E-GE3CT-ND SUP80090E-GE3TR-ND SUP80090E-GE3TRINACTIVE SUP80090E-GE3TR SUP80090E-GE3DKRINACTIVE SUP80090E-GE3DKR SUP80090E-GE3DKR-ND SUP80090E-GE3CT