Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
IXTX200N10L2
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
НОВА часть #:
312-2289964-IXTX200N10L2
Производитель:
Номер детали производителя:
IXTX200N10L2
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 100 V 200A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | PLUS247™-3 | |
| Базовый номер продукта | IXTX200 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Linear L2™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 200A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 3mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 540 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 23000 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1040W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXTK200N10L2IXYS
IXTN200N10L2IXYS
IXTH110N10L2IXYS
IXTH75N10L2IXYS
IXTX110N20L2IXYS
