Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
IMW65R030M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
НОВА часть #:
312-2299889-IMW65R030M1HXKSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IMW65R030M1HXKSA1
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 650 V 58A (Tc) 197W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO247-3-41 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | CoolSiC™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 58A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 29.5A, 18V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5.7V @ 8.8mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 48 nC @ 18 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | +20V, -2V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1643 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 197W (Tc) | |
| Другие имена | 448-IMW65R030M1HXKSA1 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon Technologies
IMW65R027M1HXKSA1Infineon Technologies- IMW65R048M1HXKSA1Infineon Technologies
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon Technologies- IMW65R057M1HXKSA1Infineon Technologies
- IMW65R039M1HXKSA1Infineon Technologies
- IMZA65R030M1HXKSA1Infineon Technologies
SCTWA35N65G2VAGSTMicroelectronics- SCTWA90N65G2VSTMicroelectronics
