RD3L08BGNTL

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 60V 80A TO252

НОВА часть #:

312-2291110-RD3L08BGNTL

Производитель:

Номер детали производителя:

RD3L08BGNTL

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 60 V 80A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount TO-252

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-252
Базовый номер продукта	RD3L08
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	80A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	71 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	3620 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	119W (Tc)
Другие имена	RD3L08BGNTLDKR RD3L08BGNTLTR RD3L08BGNTLCT