SI4455DY-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 150V 2A 8SO

НОВА часть #:

312-2288076-SI4455DY-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI4455DY-T1-GE3

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 150 V 2A (Ta) 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Базовый номер продукта	SI4455
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	2A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	295mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	150 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1190 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	5.9W (Tc)
Другие имена	SI4455DY-T1-GE3TR SI4455DY-T1-GE3-ND SI4455DY-T1-GE3DKR SI4455DY-T1-GE3CT