SUD35N10-26P-E3

MOSFET N-CH 100V 35A TO252
НОВА часть #:
312-2291165-SUD35N10-26P-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SUD35N10-26P-E3
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

N-Channel 100 V 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Single
ПроизводительVishay Siliconix
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика TO-252AA
Базовый номер продукта SUD35
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
РядTrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 35A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id 4.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 47 nC @ 10 V
Полевой транзистор-
Пакет/кейсTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)±20V
Тип полевого транзистораN-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2000 pF @ 12 V
Рассеиваемая мощность (макс.) 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Другие именаSUD35N10-26P-E3DKR
SUD35N10-26P-E3CT
SUD35N10-26P-E3TR
SUD35N10-26P-E3-ND

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.