NTMS10P02R2G

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC

НОВА часть #:

312-2290452-NTMS10P02R2G

Производитель:

Номер детали производителя:

NTMS10P02R2G

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 20 V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Базовый номер продукта	NTMS10
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	8.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	70 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (макс.)	±12V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	3640 pF @ 16 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.6W (Ta)
Другие имена	NTMS10P02R2GOSCT 2156-NTMS10P02R2G-OS NTMS10P02R2GOS NTMS10P02R2GOSDKR NTMS10P02R2GOSTR =NTMS10P02R2GOSCT-ND NTMS10P02R2GOS-ND ONSONSNTMS10P02R2G