Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
FDY102PZ
MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3
НОВА часть #:
312-2281863-FDY102PZ
Производитель:
Номер детали производителя:
FDY102PZ
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
P-Channel 20 V 830mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SC-89-3 | |
| Базовый номер продукта | FDY102 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 830mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 830mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 3.1 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SC-89, SOT-490 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 135 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 625mW (Ta) | |
| Другие имена | 2156-FDY102PZ-OS FDY102PZDKR FDY102PZCT FDY102PZTR FAIFSCFDY102PZ |
In stock Нужно больше?
0,19000 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMP21D0UT-7Diodes Incorporated
LTST-C191KGKTLite-On Inc.
PJE8403_R1_00001Panjit International Inc.
TPS3702CX50DDCTTexas Instruments
830069882Würth Elektronik
ECS-.327-9-16-TRECS Inc.
CMPT3904G TR PBFREECentral Semiconductor Corp
MCP7940NT-I/MSMicrochip Technology
FDY302NZonsemi
MIC5504-3.3YM5-TRMicrochip Technology- FDY100PZonsemi
REF3330AIDBZRTexas Instruments
2N7002P,235Nexperia USA Inc.
GD25WD80CEIGRGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
