IPD320N20N3GATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3

НОВА часть #:

312-2283044-IPD320N20N3GATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPD320N20N3GATMA1

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3
Базовый номер продукта	IPD320
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	34A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2350 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	136W (Tc)
Другие имена	IPD320N20N3GATMA1DKR IPD320N20N3GATMA1TR IPD320N20N3GATMA1CT SP001127832