SI1317DL-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323

НОВА часть #:

312-2282009-SI1317DL-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI1317DL-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 20 V 1.4A (Tc) 500mW (Tc) Surface Mount SC-70-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-50°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SC-70-3
Базовый номер продукта	SI1317
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	1.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	800mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	6.5 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	SC-70, SOT-323
VGS (макс.)	±8V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	272 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	500mW (Tc)
Другие имена	SI1317DL-T1-GE3DKR SI1317DL-T1-GE3TR SI1317DL-T1-GE3CT SI1317DL-T1-GE3-ND