IRFSL5615PBF

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 150V 33A TO262

НОВА часть #:

312-2303665-IRFSL5615PBF

Производитель:

Номер детали производителя:

IRFSL5615PBF

Стандартный пакет:

1,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-262

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-262
Базовый номер продукта	IRFSL5615
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	33A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	150 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1750 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	144W (Tc)
Другие имена	SP001567730 IFEINFIRFSL5615PBF 2156-IRFSL5615PBF