SI4090DY-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO

НОВА часть #:

312-2361592-SI4090DY-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI4090DY-T1-GE3

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 100 V 19.7A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Базовый номер продукта	SI4090
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	19.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	69 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2410 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Другие имена	SI4090DY-T1-GE3CT SI4090DY-T1-GE3DKR SI4090DY-T1-GE3TR SI4090DYT1GE3

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!