Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
R6009JND3TL1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252
НОВА часть #:
312-2290477-R6009JND3TL1
Производитель:
Номер детали производителя:
R6009JND3TL1
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 600 V 9A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252 | |
| Базовый номер продукта | R6009 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 9A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 585mOhm @ 4.5A, 15V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 7V @ 1.38mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 22 nC @ 15 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 645 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 125W (Tc) | |
| Другие имена | R6009JND3TL1TR R6009JND3TL1DKR R6009JND3TL1CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STD8N60DM2STMicroelectronics
FCD620N60ZFonsemi- STD10N60DM2STMicroelectronics
