SI3493BDV-T1-E3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP

НОВА часть #:

312-2277431-SI3493BDV-T1-E3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI3493BDV-T1-E3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 20 V 8A (Tc) 2.08W (Ta), 2.97W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	6-TSOP
Базовый номер продукта	SI3493
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	8A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	43.5 nC @ 5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
VGS (макс.)	±8V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1805 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Другие имена	SI3493BDVT1E3 SI3493BDV-T1-E3CT SI3493BDV-T1-E3DKR SI3493BDV-T1-E3TR