SIS892DN-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8

НОВА часть #:

312-2288044-SIS892DN-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SIS892DN-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 100 V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта	SIS892
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	30A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	21.5 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® 1212-8
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	611 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Другие имена	SIS892DNT1GE3 SIS892DN-T1-GE3CT SIS892DN-T1-GE3TR SIS892DN-T1-GE3DKR