Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
NTHL082N65S3F
MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
НОВА часть #:
312-2311485-NTHL082N65S3F
Производитель:
Номер детали производителя:
NTHL082N65S3F
Стандартный пакет:
450
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 650 V 40A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-3 | |
| Базовый номер продукта | NTHL082 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | SuperFET® III | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 40A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 4mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 81 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3410 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 313W (Tc) | |
| Другие имена | NTHL082N65S3F-ND NTHL082N65S3FOS 2156-NTHL082N65S3F-OS ONSONSNTHL082N65S3F |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXFH22N60P3IXYS
FCP125N60EFairchild Semiconductor
FCA20N60Fairchild Semiconductor
IPA65R065C7XKSA1Infineon Technologies
FCH125N65S3R0-F155onsemi
STB37N60DM2AGSTMicroelectronics
FCH104N60Fairchild Semiconductor- FQA24N50Fairchild Semiconductor
IPP60R190P6XKSA1Infineon Technologies
R6547ENZ4C13Rohm Semiconductor
