Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
STD12N60DM6
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
НОВА часть #:
312-2295477-STD12N60DM6
Производитель:
Номер детали производителя:
STD12N60DM6
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D-PAK (TO-252) | |
| Базовый номер продукта | STD12 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | MDmesh™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 10A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.75V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 508 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 90W (Tc) | |
| Другие имена | 497-STD12N60DM6DKR 497-STD12N60DM6CT 497-STD12N60DM6TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SQD19P06-60L_GE3Vishay Siliconix
DMP3130LQ-7Diodes Incorporated
IMZ120R045M1XKSA1Infineon Technologies
IPTG007N06NM5ATMA1Infineon Technologies
R6011END3TL1Rohm Semiconductor- ZXMP10A13FQTADiodes Incorporated
- NVBLS1D1N08Honsemi
FFSH15120Aonsemi
TN5050H-12WYSTMicroelectronics
UJ4C075060K4SUnitedSiC
