Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
IRF5801TRPBF
MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
НОВА часть #:
312-2290096-IRF5801TRPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRF5801TRPBF
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 200 V 600mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | Micro6™(TSOP-6) | |
| Базовый номер продукта | IRF5801 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 600mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 360mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 3.9 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 88 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2W (Ta) | |
| Другие имена | IRF5801TRPBFTR IRF5801TRPBFDKR IRF5801TRPBFCT IRF5801TRPBF-ND SP001570104 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDC2612onsemi
IRF540ZPBFInfineon Technologies
IRF5802TRPBFInfineon Technologies- IRF540NPBFInfineon Technologies
SI3440DV-T1-GE3Vishay Siliconix
