Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
IXTP3N100D2
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
НОВА часть #:
312-2292293-IXTP3N100D2
Производитель:
Номер детали производителя:
IXTP3N100D2
Стандартный пакет:
50
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 1000 V 3A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220-3 | |
| Базовый номер продукта | IXTP3 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Depletion | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5Ohm @ 1.5A, 0V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | - | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 37.5 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | Depletion Mode | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1000 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1020 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 125W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXTH10N100D2IXYS- IXTH6N100D2IXYS
IXTP3N50D2IXYS
