IRFH6200TRPBF

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN

НОВА часть #:

312-2291149-IRFH6200TRPBF

Производитель:

Номер детали производителя:

IRFH6200TRPBF

Стандартный пакет:

4,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 20 V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-PQFN (5x6)
Базовый номер продукта	IRFH6200
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	49A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.95mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1.1V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	230 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerVDFN
VGS (макс.)	±12V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	10890 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.6W (Ta), 156W (Tc)
Другие имена	IRFH6200TRPBF-ND IRFH6200TRPBFTR SP001575628 IRFH6200TRPBFCT IRFH6200TRPBFDKR