G12P03D3

P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
НОВА часть #:
312-2315976-G12P03D3
Производитель:
Номер детали производителя:
G12P03D3
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

P-Channel 30 V 12A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Single
ПроизводительGoford Semiconductor
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика 8-DFN (3.15x3.05)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Ряд-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 12A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id 2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 24.5 nC @ 10 V
Полевой транзистор-
Пакет/кейс8-PowerVDFN
VGS (макс.)±20V
Тип полевого транзистораP-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1253 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.) 3W (Tc)
Другие имена3141-G12P03D3CT
3141-G12P03D3TR

In stock Нужно больше?

0,16900 $
Whatsapp

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.