Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
IPI032N06N3GE8214AKSA1
MOSFET N-CH 60V TO262-3
НОВА часть #:
312-2342451-IPI032N06N3GE8214AKSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPI032N06N3GE8214AKSA1
Стандартный пакет:
500
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO262-3-1 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 120A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 118µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 165 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 13000 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 188W (Tc) | |
| Другие имена | 448-IPI032N06N3GE8214AKSA1 SP001605816 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.