IPB020NE7N3GATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

НОВА часть #:

312-2283547-IPB020NE7N3GATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPB020NE7N3GATMA1

Стандартный пакет:

1,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-3
Базовый номер продукта	IPB020
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	120A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.8V @ 273µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	206 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	75 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	14400 pF @ 37.5 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	300W (Tc)
Другие имена	IPB020NE7N3 GCT-ND SP000676950 IPB020NE7N3GATMA1CT IPB020NE7N3 G-ND IPB020NE7N3 GTR-ND IPB020NE7N3 GCT IPB020NE7N3GATMA1DKR 2156-IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3 GDKR IPB020NE7N3 GDKR-ND IPB020NE7N3 G IPB020NE7N3GATMA1TR IFEINFIPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3G

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!