SI1012X-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

НОВА часть #:

312-2282420-SI1012X-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI1012X-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 20 V 500mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SC-89-3
Базовый номер продукта	SI1012
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	500mA (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	0.75 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	SC-89, SOT-490
VGS (макс.)	±6V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	250mW (Ta)
Другие имена	SI1012XT1GE3 SI1012X-T1-GE3TR SI1012X-T1-GE3CT SI1012X-T1-GE3DKR SI1012X-T1-GE3-ND